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portada MeV-Elektronenbestrahlung von Si-Heterostrukturen (en Alemán)
Formato
Libro Físico
Autor
Editorial
Idioma
Alemán
N° páginas
180
Encuadernación
Tapa Blanda
Dimensiones
22.9 x 15.2 x 1.0 cm
Peso
0.27 kg.
ISBN13
9786200995711
Categorías

MeV-Elektronenbestrahlung von Si-Heterostrukturen (en Alemán)

Sonia Kaschieva (Autor) · Sergey N. Dmitriev (Autor) · Verlag Unser Wissen · Tapa Blanda

MeV-Elektronenbestrahlung von Si-Heterostrukturen (en Alemán) - Kaschieva, Sonia ; Dmitriev, Sergey N.

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Reseña del libro "MeV-Elektronenbestrahlung von Si-Heterostrukturen (en Alemán)"

Die Erzeugung von Strahlungsdefekten durch hochenergetische MeV-Elektronenbestrahlung von n- und p-Typ Si-SiO2-Strukturen mit verschiedenen Arten von Oxiden wurde untersucht. Die Morphologieänderungen des SiO2-Oxids während der MeV-Elektronenbestrahlung wurden mittels AFM beobachtet. Es werden Si+-Ionen-implantierte Si-SiO2-Strukturen vor und nach MeV-Elektronenbestrahlung vorgestellt. Die Umverteilung von Sauerstoff- und Silizium-Atomen und die Erzeugung von Si-Nanokristallen während der MeV-Elektronenbestrahlung wurde mit RBS/C- bzw. AFM-Techniken beobachtet. Optische Eigenschaften, Photolumineszenz und spektroskopische Untersuchungen von SiOx-Filmen, die mit MeV-Elektronen bestrahlt wurden, werden ebenfalls durchgeführt.

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El libro está escrito en Alemán.

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