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portada Junction-To-Case Thermal Resistance of a Silicon Carbide Bipolar Junction Transistor Measured (en Inglés)
Formato
Libro Físico
Autor
Editorial
Idioma
Inglés
N° páginas
22
Encuadernación
Tapa Blanda
Dimensiones
9.69x7.44x0.04 in
Peso
0.06 kg.
ISBN13
9781287235521
Categorías

Junction-To-Case Thermal Resistance of a Silicon Carbide Bipolar Junction Transistor Measured (en Inglés)

Nasa Technical Reports Server (Ntrs) (Autor) · Janis M. Niedra (Autor) · Bibliogov · Tapa Blanda

Junction-To-Case Thermal Resistance of a Silicon Carbide Bipolar Junction Transistor Measured (en Inglés) - Niedra, Janis M. ; Nasa Technical Reports Server (Ntrs)

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Reseña del libro "Junction-To-Case Thermal Resistance of a Silicon Carbide Bipolar Junction Transistor Measured (en Inglés)"

Junction temperature of a prototype SiC-based bipolar junction transistor (BJT) was estimated by using the base-emitter voltage (V(sub BE)) characteristic for thermometry. The V(sub BE) was measured as a function of the base current (I(sub B)) at selected temperatures (T), all at a fixed collector current (I(sub C)) and under very low duty cycle pulse conditions. Under such conditions, the average temperature of the chip was taken to be the same as that of the temperature-controlled case. At increased duty cycle such as to substantially heat the chip, but same I(sub C) pulse height, the chip temperature was identified by matching the V(sub BE) to the thermometry curves. From the measured average power, the chip-to-case thermal resistance could be estimated, giving a reasonable value. A tentative explanation for an observed bunching with increasing temperature of the calibration curves may relate to an increasing dopant atom ionization. A first-cut analysis, however, does not support this.

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