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high voltage p-channel dmos-igbts in sic
Yang Sui (Autor)
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vdm verlag
· Libro Físico
high voltage p-channel dmos-igbts in sic - yang sui
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Reseña del libro "high voltage p-channel dmos-igbts in sic"
sic has been an excellent material for power switching devices because of its wide bandgap and high breakdown field. sic power mosfets below 10 kv have been successfully developed and fabricated in the past decade. however, mosfets blocking above 10 k ...
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