Compartir
gas source molecular beam epitaxy: growth and properties of phosphorus containing iii-v heterostructures (en Inglés)
Morton B. Panish
(Autor)
·
Henryk Temkin
(Autor)
·
Springer
· Tapa Blanda
gas source molecular beam epitaxy: growth and properties of phosphorus containing iii-v heterostructures (en Inglés) - Panish, Morton B. ; Temkin, Henryk
$ 104.20
$ 109.99
Ahorras: $ 5.79
Elige la lista en la que quieres agregar tu producto o crea una nueva lista
✓ Producto agregado correctamente a la lista de deseos.
Ir a Mis ListasSe enviará desde nuestra bodega entre el
Viernes 31 de Mayo y el
Lunes 03 de Junio.
Lo recibirás en cualquier lugar de Estados Unidos entre 1 y 3 días hábiles luego del envío.
Reseña del libro "gas source molecular beam epitaxy: growth and properties of phosphorus containing iii-v heterostructures (en Inglés)"
Today nobody can do without modern semiconductor technology and their application in micro- and optoelectronics. Here, the technique that is able to grow thinnest and best definded layers is described by the "pope" of the method in whose laboratory it was developed. Whoever is involved in research and development or advanced studies in this fascinating field will welcome the unique volume with great interest.
- 0% (0)
- 0% (0)
- 0% (0)
- 0% (0)
- 0% (0)
Todos los libros de nuestro catálogo son Originales.
El libro está escrito en Inglés.
La encuadernación de esta edición es Tapa Blanda.
✓ Producto agregado correctamente al carro, Ir a Pagar.