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portada growth of single crystal silicon carbide by halide chemical vapor deposition.
Formato
Libro Físico
Editorial
Autor
Categoría
química,general,ciencia, ciencias y matemáticas
Año
2011
Idioma
Inglés
N° páginas
198
ISBN
1243704594
ISBN13
9781243704597

growth of single crystal silicon carbide by halide chemical vapor deposition.

Fanton, Mark A. (Autor) · proquest, umi dissertation publishing · Libro Físico

growth of single crystal silicon carbide by halide chemical vapor deposition. - fanton, mark a.

Química,general,ciencia, ciencias y matemáticas

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